Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях

Представлены результаты исследования влияния продольного электрического поля на спектры поглощения излучения среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Полученные результаты объясняются перераспределением горячих электронов между ямами и изменением объемного заряда в структуре. Из анализа спектров модуляции межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях определена температура горячих носителей заряда.