Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника

Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов $\sim$10$^{21}$ см$^{-3}$ без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7 $\cdot$ 10$^{-6}$ Ом $\cdot$ см$^{2}$) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$.