RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1469–1472 (Mi phts6309)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Лазер на основе германия c гибридной поверхностной плазменной модой

А. А. Дубиновab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически исследована возможность создания лазера на основе $n^{++}$-Ge c гибридной поверхностной плазменной ТМ-модой: вычислены распределение электромагнитных полей и коэффициент поглощения в рассматриваемой моде, фактор оптического ограничения, коэффициент усиления и пороговая плотность тока в рассматриваемом лазере. Показано, что при оптимальных толщинах слоев лазера на основе $n^{++}$-Ge c гибридной поверхностной плазменной ТМ-модой пороговая плотность тока может быть в 2–3 раза меньше, чем экспериментально наблюдаемая пороговая плотность тока в лазере на основе $n^{++}$-Ge с обычным диэлектрическим волноводом.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:11, 1449–1452

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024