Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$

Методом импульсного лазерного осаждения получены тонкие (25 нм) пленки Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ на Si(100). По данным высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, пленки представляют собой нанотекстурированный кристалл химически однородного состава. Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и термоэдс в интервале 300–500 K, рассчитана температурная зависимость коэффициента Зеебека и фактора мощности.