Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии

Представлены данные экспериментальных исследований по наблюдению спонтанного излучения и модуляции поглощения в кремнии, легированном бором при возбуждении излучением СО$_{2}$-лазера, в зависимости от величины приложенного давления вдоль кристаллографических направлений [001] и [011]. В качестве зондирующего использовалось излучение комнатной температуры. Показано, что приложение малых давлений (до 0.5 кбар) приводит к уменьшению потерь в терагерцовом спектре частот на величину порядка 20%. Основной вклад в модуляцию поглощения вызван $A^{+}$-центрами при малых и нулевых давлениях и межподзонными переходами при увеличении давления, что может быть минимизировано использованием компенсированных образцов.