Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)

В настоящем сообщении представлены результаты экспериментов по наблюдению электролюминесценции из кремниевых структур металл–окисел-полупроводник (МОП) с массивами самоформирующихся наноостровков Ge(Si) и оксидом алюминия Al$_{2}$O$_{3}$ в качестве изолирующего слоя. Проанализированы изменения в спектрах электролюминесценции МОП структур, вызываемые изменением работы выхода металла. При комнатной температуре наблюдалась интенсивная электролюминесценции наноостровков Ge(Si), удаленных на расстояние $\sim$50 нм от интерфейса окисел–полупроводник. Показано, что, выбирая соответствующие параметры полупроводниковой структуры и высоту барьера для инжектируемых носителей, можно управлять спектром излучения МОП структуры.