Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF$_{2}$

При $T$ = 4.2 K экспериментально исследованы угловые зависимости емкости структур на основе пленок PbSnTe$\langle$In$\rangle$ в магнитном поле $B\le$ 4 Тл при различном напряжении смещения, имеющие выраженный анизотропный характер по направлению магнитного поля с модуляцией емкости примерно в 1.5–2 раза. Проведено сравнение полученных данных с экспериментальными анизотропными угловыми зависимостями тока, ограниченного пространственным зарядом, с модуляцией величины тока до 10$^{2}$–10$^{4}$ раз и более. Рассмотрена качественная модель полученных результатов.