Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs

Проводились исследования фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InAs, поверх которых был выращен слой GaAs в низкотемпературном режиме (LT-GaAs), с использованием различных разделительных слоев или без них. Под разделительными слоями подразумеваются тонкие слои GaAs или AlAs, выращенные при нормальных для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) температурах. Прямое заращивание привело к исчезновению фотолюминесценции. При использовании тонкого разделительного слоя GaAs фотолюминесценция из квантовых точек InAs частично восстановилась, но ее интенсивность оказалась на 2 порядка меньше, чем в референтном образце, в котором заращивание массива квантовых точек производилось при нормальной температуре. Использование более широкозонного AlAs в качестве материала разделительного слоя привело к усилению фотолюминесценции из квантовых точек InAs, но она все еще была более чем на порядок слабее относительно излучения референтного образца. Построена модель, учитывающая процессы генерации носителей светом, их диффузии и туннелирования из квантовых точек в слой LT-GaAs.