Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Ю. И. Кошуринов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11,страницы 1548

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот

Д. Г. Павельев^a, А. П. Васильев^b, В. А. Козлов^ac, Ю. И. Кошуринов^a, Е. С. Оболенская^a, С. В. Оболенский^a, В. М. Устинов^d

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом Монте–Карло рассчитан транспорт электронов в сверхрешетках на основе гетероструктур GaAs/AlAs с небольшим числом периодов (6 периодов). Эти сверхрешетки используются в диодах, работающих в качестве гармонических смесителей для стабилизации частоты квантовых каскадных лазеров до 5 ТГц. Рассмотрена зонная структура сверхрешеток с различным количеством монослоев AlAs и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Проведено сравнение рассчитанных вольт-амперных характеристик сверхрешеток с экспериментом. Теоретически и экспериментально установлена возможность эффективного применения таких сверхрешеток в терагерцовом диапазоне частот.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016