Отражение кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$ в широкой спектральной области

Для анизотропного монокристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$ с высокими концентрацией дырок ($p\approx$ 3 $\cdot$ 10$^{20}$см$^{-3}$) и удельной электропроводностью ($\sigma\approx$ 2500 Ом$^{-1}$ $\cdot$ см$^{-1}$) измерен спектр отражения от плоскости скола, перпендикулярной тригональной оси $\mathbf{C}_{3}$, в широкой спектральной области 50–50 000 см$^{-1}$. Показано, что в длинноволновой и средней инфракрасной областях поведение отражения может быть описано с учетом вклада плазменных колебаний и двух колебаний кристаллической решетки. Определены количественные характеристики этих колебаний, удовлетворительно согласующиеся с электрофизическими параметрами. Расхождения в значениях эффективной массы дырок, вычисленные различными способами, объяснены сложным строением валентной зоны исследуемого кристалла.