RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1370–1373 (Mi phts6341)

Физика полупроводниковых приборов

Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$$n$-структур кремния

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Исследован возможный механизм выключения естественных микроплазм в кремниевых $p$$n$-переходах. Показано, что эффект выключения не является случайным процессом, а имеет в основе определенный физический механизм. Механизм связан с формированием на концах канала микроплазменного пробоя варизонных областей, обусловленных термоупругими напряжениями, и перераспределением электрического поля в области месторасположения микроплазм.

Поступила в редакцию: 31.03.2016
Принята в печать: 04.04.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:10, 1352–1355

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024