Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра

Применен новый метод повышения спектральной чувствительности фотодиодов на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 1.1–2.4 мкм. Показано, что формирование рельефа в виде углублений на тыльной неосвещаемой поверхности фотодиодного чипа, свободной от металлизации, позволяет увеличить спектральную чувствительность фотодиодов в интервале длин волн 1.8–2.4 мкм. Наибольшее увеличение, до 53% в максимуме, по сравнению с чувствительностью традиционных фотодиодов со сплошной металлизированной тыльной поверхностью чипа наблюдается для фотодиодов, чипы которых имеют мелкие углубления радиусом 30 мкм. Данные приборы могут найти широкое применение в системах для измерения количества воды в нефтепродуктах, влажности бумаги, почвы и зерна.