И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. С. Курочкин, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, Ю. М. Шерняков, А. В. Савельев, И. А. Няпшаев, А. Ю. Егоров, “Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10,страницы 1429

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм

И. И. Новиков^ab, Л. Я. Карачинский^ab, Е. С. Колодезный^b, В. Е. Бугров^b, А. С. Курочкин^ab, А. Г. Гладышев^ab, А. В. Бабичев^ab, И. М. Гаджиев^bc, М. С. Буяло^bc, Ю. М. Задиранов^c, А. А. Усикова^c, Ю. М. Шерняков^c, А. В. Савельев^b, И. А. Няпшаев^b, А. Ю. Егоров^ba

^a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования усилительных свойств “тонких”, толщиной 3.2 нм, упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Результаты исследования пороговых и усилительных характеристик полосковых лазерных диодов с активными областями на основе тонких" квантовых ям со степенью рассогласования параметра кристаллической решетки с материалом подложки +1.0% показали, что исследуемые квантовые ямы демонстрируют высокое значение коэффициента модового усиления – 11 см$^{-1}$ и низкое значение плотности тока прозрачности – 46 А/см$^{2}$ на одну квантовую яму.

Поступила в редакцию: 10.05.2016
Принята в печать: 10.05.2016