Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) поверхности

Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведен расчет атомной и электронной структуры Ga-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией $\zeta$ (4 $\times$ 2) и галогенами в ряде симметричных позиций на поверхности. Рассчитаны энергетические барьеры диффузии атомов галогенов на данной поверхности, что позволило определить наиболее предпочтительные пути их миграции. Показано, что для всех рассмотренных галогенов (I, Br, Cl, F) имеется низкий барьер (0.17–0.23 эВ) для их диффузии вдоль поверхностного галлиевого димера, тогда как значение барьера существенно выше для диффузии между смежными галлиевыми димерами. В целом полученные значения энергетических барьеров для диффузии галогенов в обоих направлениях ([110] и [1–10]) указывают на их высокую поверхностную мобильность, несмотря на большие значения энергий связи в ряде позиций адсорбции на поверхности.