RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1159–1162 (Mi phts6354)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния

С. Н. Мустафаеваa, С. М. Асадовb

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку

Аннотация: В образцах GdS$_{x}$ ($x$ = 1.475–2) различного состава исследованы температурные зависимости проводимости на постоянном токе в области низких температур (4.2–225 K). Установлено наличие активационного и безактивационного прыжковых механизмов переноса заряда по запрещенной зоне образцов фаз GdS$_{x}$. Определены параметры локализованных состояний в GdS$_{x}$.

Поступила в редакцию: 26.01.2016
Принята в печать: 04.02.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:9, 1137–1140

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024