RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1167–1172 (Mi phts6356)

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: На монокристаллах соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$, полученных методами химических газотранспортных реакций и Бриджмена (вертикальный вариант), исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 K. По зарегистрированным спектрам определены ширины запрещенной зоны монокристаллов In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$ и построены их температурные зависимости. Установлено, что ширина запрещенной зоны в обоих соединениях с понижением температуры увеличивается. Проведен расчет температурных зависимостей. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.

Поступила в редакцию: 03.03.2016
Принята в печать: 10.03.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:9, 1145–1150

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024