Аннотация:
Представлены результыты исследования оптического отражения в далекой и средней инфракрасной области спектра. Измерен коэффициент отражения 5 пленок топологического изолятора Bi$_{2}$Se$_{3}$, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (111)Si. Методом дисперсионного анализа для многослойной структуры определены характерные параметры фононов и плазмонов. Обнаружено, что плазменная частота в слое у границы раздела Si-пленка заметно превышает плазменную частоту в объеме пленки. Расчет функции потерь показывает, что плазмон-фононное взаимодействие играет важную роль в пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$. Методом нарушенного полного внутреннего отражения определена частота поверхностной плазмон-фононной моды.
Поступила в редакцию: 16.02.2016 Принята в печать: 21.02.2016