RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1173–1177 (Mi phts6357)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Плазмон-фононное взаимодействие в спектрах инфракрасного отражения пленок Bi$_{2}$Se$_{3}$

Н. Н. Новиковаa, В. А. Яковлевa, И. В. Кучеренкоb

a Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Представлены результыты исследования оптического отражения в далекой и средней инфракрасной области спектра. Измерен коэффициент отражения 5 пленок топологического изолятора Bi$_{2}$Se$_{3}$, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (111)Si. Методом дисперсионного анализа для многослойной структуры определены характерные параметры фононов и плазмонов. Обнаружено, что плазменная частота в слое у границы раздела Si-пленка заметно превышает плазменную частоту в объеме пленки. Расчет функции потерь показывает, что плазмон-фононное взаимодействие играет важную роль в пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$. Методом нарушенного полного внутреннего отражения определена частота поверхностной плазмон-фононной моды.

Поступила в редакцию: 16.02.2016
Принята в печать: 21.02.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:9, 1151–1155

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024