В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9,страницы 1195

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления

В. Н. Петров^a, В. Г. Сидоров^b, Н. А. Тальнишних^c, А. Е. Черняков^c, Е. И. Шабунина^a, Н. М. Шмидт^a, А. С. Усиков^d, H. Helava^d, Ю. Н. Макаров^de

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^d Nitride Crystals Inc., USA
^e ГК "Нитридные кристаллы", С.-Петербург

Аннотация: Показано, что в наноматериалах светоизлучающих InGaN/GaN- и AlGaN/GaN-структур в проводящих протяженных дефектах и локальных неоднородностях состава твердых растворов формируется трехмерная фрактально-перколяционная система, которая определяет электрофизические свойства светодиодов, изготовленных на основе этих структур. Геометрия и свойства этой системы нелинейно зависят от степени разупорядоченности наноматериала структур, величины инжекционного тока и скорости выращивания твердых растворов.

Поступила в редакцию: 09.03.2016
Принята в печать: 15.03.2016