Аннотация:
Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ в области частот 10$^{4}$–10$^{6}$ Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте $(\operatorname{tg}\delta\sim1/\omega)$ и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS$_{4}$ рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.
Поступила в редакцию: 16.02.2016 Принята в печать: 24.02.2016