RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1225–1229 (Mi phts6366)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS$_{4}$ в переменном электрическом поле

Ф. М. Мамедовa, Н. Н. Нифтиевb

a Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, г. Баку
b Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан

Аннотация: Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ в области частот 10$^{4}$–10$^{6}$ Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте $(\operatorname{tg}\delta\sim1/\omega)$ и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS$_{4}$ рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.

Поступила в редакцию: 16.02.2016
Принята в печать: 24.02.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:9, 1203–1207

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024