К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP

Исследованы полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что увеличение только ширины запрещенной зоны AlGaInAs-волноводов без дополнительных барьеров приводит к росту токовых утечек в эмиттерные слои. Установлено, что введение дополнительных барьерных слоев на границе волновод-эмиттер блокирует токовые утечки в эмиттер, но ведет к росту внутренних оптических потерь с ростом тока накачки. Экспериментально продемонстрировано, что введение блокирующих слоев позволяет достичь максимальных значений внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения (92%) и оптической мощности (3.2 Вт) в непрерывном режиме генерации в полупроводниковых лазерах для безопасного для глаз диапазона длин волн (1400–1600 нм).