Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si

Исследовано влияние отжига пленок оксида титана на электрические характеристики структур металл–TiO$_{2}$–$n$-Si. Показано, что независимо от температуры отжига проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется током, ограниченным пространственным зарядом в диэлектрике с ловушками, экспоненциально распределенными по энергии. При отрицательных потенциалах на затворе основной вклад в ток дает генерация электронно-дырочных пар в области пространственного заряда в кремнии. Свойства границы раздела TiO$_{2}$–$n$-Si зависят от структуры и фазового состояния оксидной пленки, которые определяются температурой отжига.