Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами

Исследована динамика рекомбинации носителей заряда в ансамбле квантовых точек GaN/AlN. Для ее описания предложена модель, учитывающая переход носителей заряда между квантовыми точками и дефектами в матрице. Cравнение экспериментальных и расчетных кривых затухания фотолюминесценции показало, что взаимодействие квантовых точек с дефектами приводит к замедлению затухания фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN.