RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1070–1074 (Mi phts6388)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Неравновесный химический потенциал в двумерном электронном газе в режиме квантового эффекта Холла

Д. А. Похабовab, А. Г. Погосовab, М. В. Буданцевa, Е. Ю. Ждановba, А. К. Бакаровba

a Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследовано неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла в холловских мостиках, снабженных дополнительными внутренними контактами, помещенными внутрь мостика. Изучены магнетополевые зависимости напряжения между различными парами контактов при различных температурах. Обнаружено, что напряжение между внутренним и внешним контактами демонстрирует пики значительной амплитуды в узких интервалах магнитных полей вблизи целочисленных факторов заполнения. Кроме этого, зависимость напряжения от магнитного поля в этих интервалах демонстрирует гистерезис, тогда как напряжение между внешними контактами остается нулевым во всем диапазоне магнитных полей. Возникновение наблюдаемых пиков напряжения и их гистерезисное поведение можно объяснить неравновесием химических потенциалов краевых и объемных состояний, возникающим в результате неравновесного перераспределения заряда между краевыми и объемными состояниями при развертке магнитного поля в условиях квантового эффекта Холла. Результаты работы существенно дополняют общепринятую картину квантового эффекта Холла, явно указывая на наличие значительного неравновесия на краю двумерного электронного газа: экспериментально наблюдаемая величина разности электрохимических потенциалов между краем и объемом в десятки раз превышает расстояние между уровнями Ландау.

Поступила в редакцию: 02.02.2016
Принята в печать: 10.02.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:8, 1049–1053

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024