Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры

Исследовано влияние одноосной деформации с силой до 6 кг/см$^{2}$ на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры при 300 и 77 K.
Найдено увеличение с давлением как прямого, так и обратного тока, причем изменение прямого тока на порядок больше, чем обратного. Исследована деформация и в зависимости от кристаллографических направлений, обнаружено, что при направлении сжатия, параллельном $\langle$111$\rangle$, эффект максимален. Результат может быть использован при создании датчиков одноосной деформации.