RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1106–1112 (Mi phts6395)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike

А. А. Бетекбаевa, Б. Н. Мукашевa, L. Pelissierb, P. Layb, G. Fortinb, L. Bounaasb, Д. М. Скаковa, Д. А. Калыгуловa, Т. С. Турмагамбетовa, В. В. Лиc

a ТОО "МК KazSilicon", Бастобе, Казахстан
b ECM Greentech, Гренобль, Франция
c ТОО "Kazakhstan Solar Silicon", Усть-Каменогорск, Казахстан

Аннотация: В целях повышения эффективности солнечных элементов и снижения затрат на производство был разработан процесс получения слитков кремния по так называемой технологии monolike. Новые технологии, использующие кремний “солнечного” качества, позволяют производить солнечные элементы при меньших затратах с высоким коэффициентом преобразования солнечной энергии. Именно поэтому процесс monolike был протестирован и оптимизирован для казахстанского кремния “солнечного” качества. Целью данной работы было сравнение характеристик солнечных элементов, полученных из кремния monolike, с солнечными элементами, созданными из мультикристаллического кремния, полученного методом направленной кристаллизации. Для исследования были выращены слитки мультикристаллического кремния в промышленных масштабах и при использовании казахстанского кремния, созданы солнечные элементы и исследованы характеристики полученных слитков кремния и солнечных элементов.

Поступила в редакцию: 17.11.2015
Принята в печать: 30.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:8, 1085–1091

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024