Времена перехода резонансно-туннельного диода между экстремальными точками гистерезисной вольт-амперной характеристики

Впервые найдено численное решение задачи о переходных процессах в резонансно-туннельном диоде (РТД) при наличии гистерезиса вольт-амперной характеристики (ВАХ) в рамках когерентной модели (Шредингер–Пуассон) с ферми-распределением электронов. Детально изучены переходы из состояния с большим током в состояние с малым и наоборот, которые возможны благодаря гистерезису ВАХ и имеют важное практическое значение при использовании резонансно-туннельных диодов в качестве сверхбыстрых переключателей. Показано, что времена перехода для таких процессов, возникающие под действием малого напряжения, могут значительно превосходить характерное $\hbar/\Gamma$, $\Gamma$ – ширина резонансного уровня. Удалось впервые установить, что время перехода можно уменьшить до характерного $\hbar/\Gamma$, если приложить напряжение больше, чем $V_{c}$. Для рассмотренной в статье структуры РТД $V_{c}\approx$ 0.01 В.