Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом

В работе представлены результаты по формированию и характеризации оптических свойств $p$–$n$-фотодетекторов ультрафиолетовой области спектра на основе одиночных нитевидных кристаллов (вискеров) с новым контактом на основе CVD-графена. Активная область нитридных вискеров содержит набор из 30 радиальных квантовых ям состава In$_{0.18}$Ga$_{0.82}$N. Структура выращена методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Формирование фотодетекторов осуществлялось с помощью электронной литографии с интерферометрическим столом. Вольт-амперные характеристики представляют собой выпрямляющий тип зависимости. Спектральная чувствительность фотодетектора отчетливо регистрируется начиная с 3 эВ. Максимальный фотоотклик соответствует длине волны 367 нм (чувствительность составляет 1.9 мA/Вт). Отклик фотодетектора наблюдается на временах $<$ 0.1 с.