Гетеропереходные низкобарьерные GаAs-диоды с улучшенной обратной вольт-амперной характеристикой

Предложена и реализована конструкция полупроводниковой эпитаксиальной гетероструктуры низкобарьерного диода, позволяющая существенно снизить плотность обратного тока диода без ухудшения его остальных важнейших параметров. Улучшение параметров обратной ветви вольт-амперной характеристики достигнуто за счет введения в гомоструктуру гетеропереходов, что позволило сформировать близкий к оптимальному потенциальный рельеф в объеме полупроводника. Приведены результаты теоретических расчетов с использованием TCAD Synopsys, а также сравнительные экспериментальные вольт-амперные характеристики диодов, изготовленных на основе гомо- и гетероструктур. Существенное снижение обратного тока показано на примере диодов с высотой барьера 0.2 и 0.17 В.