П. Г. Серафимович, М. В. Степихова, Н. Л. Казанский, С. А. Гусев, А. В. Егоров, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8,страницы 1133

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования

П. Г. Серафимович^ab, М. В. Степихова^cd, Н. Л. Казанский^ab, С. А. Гусев^cd, А. В. Егоров^b, Е. В. Скороходов^cd, З. Ф. Красильник^dc

^a Институт систем обработки изображений РАН, Самара
^b Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Изложена технология изготовления фотонно-кристаллического резонатора, выполненного в виде группы отверстий на кремниевом полосковом волноводе, сформированных методом ионно-лучевого травления. Исследован паразитный эффект, связанный с конусностью отверстий, возникающий при их формировании по данной технологии. Путем численного моделирования показано, что уменьшение добротности резонатора вследствие конусности отверстий можно компенсировать с учетом их объема. Выполнен анализ влияния толщины волновода на значения резонансной длины волны и добротность фотонно-кристаллического резонатора.

Поступила в редакцию: 17.12.2015
Принята в печать: 24.12.2015