RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 918–920 (Mi phts6412)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния

А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: На поверхности кремния прямым локальным перепылением с зонда атомно-силового микроскопа созданы проводящие индиевые нанопроволоки шириной до 50 нм и длиной до 10 мкм. Перенос индия с зонда атомно-силового микроскопа на поверхность кремния инициировался при приложении потенциала между зондом и поверхностью при их сближении до расстояний, когда сила взаимного отталкивания составляет $\sim$10$^{-7}$ Н. Проводимость созданных нанопроволок лежит в диапазоне от 7 $\cdot$ 10$^{-3}$ до 4 $\cdot$ 10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см, что на несколько порядков меньше, чем в альтернативном методe термального переноса.

Поступила в редакцию: 29.09.2015
Принята в печать: 21.12.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:7, 901–903

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024