RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 921–926 (Mi phts6413)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей

Я. В. Кузнецоваa, В. Н. Жмерикa, Д. В. Нечаевa, А. М. Кузнецовb, М. В. Заморянскаяa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Исследованы особенности спектров катодолюминесценции в гетероструктурах AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей, наблюдаемые при варьировании плотности возбуждения катодолюминесценции. Показано, что эволюция вида спектра катодолюминесценции и изменение спектрального положения полос излучения наноразмерных слоев при изменении плотности тока первичного электронного пучка позволяет идентифицировать присутствие фазового распада в слое, а в случае его отсутствия – оценить величину электрического поля в активной области структуры.

Поступила в редакцию: 09.12.2015
Принята в печать: 17.12.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:7, 904–909

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024