RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 932–936 (Mi phts6415)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон

Ю. Б. Васильевa, Н. Н. Михайловbc, Г. Ю. Васильеваad, Ю. Л. Ивановa, А. О. Захарьинa, А. В. Андриановa, Л. Е. Воробьевd, Д. А. Фирсовd, М. Н. Григорьевe, А. В. Антоновf, А. В. Иконниковf, В. И. Гавриленкоf

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Балтийский государственный технический университет "Военмех" им. Д. Ф. Устинова, г. Санкт-Петербург
f Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментально обнаружена и исследована терагерцовая электролюминесценция из квантовых ям Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te/HgTe с инвертированной зонной структурой при приложении электрического поля вдоль плоскости ям. Максимум спектра излучения в ямах шириной 6.5 и 7 нм находится вблизи энергии 6 мэВ, что соответствует межзонным оптическим переходам. Возникновение излучения объясняется опустошением состояний в валентной зоне и заполнением зоны проводимости за счет зинеровского туннелирования, что подтверждается вольт-амперными характеристиками, следующими степенному закону.

Поступила в редакцию: 16.12.2015
Принята в печать: 23.12.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:7, 915–919

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024