Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости

Показана возможность формирования в умеренно легированном карбиде кремния $n$-типа проводимости (концентрация доноров 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$) приповерхностных полуизолирующих слоев толщиной 9 мкм с помощью относительно низкодозной (7 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$) имплантации высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона. Скорость удаления свободных носителей оценивается величиной $\sim$10$^{4}$ см$^{-1}$. Удельное сопротивление полуизолятора составляет не менее 7 $\cdot$ 10$^{12}$ Ом $\cdot$ см. Анализ тока монополярной инжекции электронов в полуизолятор показал, что за компенсацию примесной проводимости ответственны радиационные дефекты, закрепляющие равновесный уровень Ферми на глубине 1.16 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность дефектов на уровне Ферми составляет 2.7 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{2}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$.