Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур

Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик, спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) $p^{+}$–$p^{0}$–$i$–$n^{0}$-структур на основе нелегированного GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии при двух температурах начала кристаллизации 950 и 850$^\circ$C, без света и при оптической подсветке. Показано, что для эпитаксиальных $p^{0}$-, $i$- и $n^{0}$-слоев структур характерно наличие дефектов с глубокими уровнями донорного и акцепторного типа с концентрациями, сравнимыми с концентрациями мелких доноров и акцепторов. Обнаружено наличие интерфейсных состояний, которые проявляются для вольт-фарадных характеристик при различных температурах измерения и оптической подсветке и являются аддитивной постоянной. Выявлена сильная температурная зависимость стационарной емкости структур. Обнаружено, что инжекция неосновных носителей заряда при приложенном положительном импульсе заполнения и оптическая перезарядка приводят к модификации структуры и соответственно DLTS-спектров $p^{+}$–$p^{0}$–$i$–$n^{0}$-структур. Выявлено, что для $p^{+}$–$p^{0}$–$i$–$n^{0}$-структур GaAs, выращенных при $T_{b}$ = 850$^\circ$C, отсутствуют интерфейсные состояния и перезарядка глубоких ловушек акцепторного типа при оптической подсветке не приводит к изменению вольт-фарадных характеристик. В DLTS-спектрах, измеренных обычным способом, обнаружено наличие двух дырочных ловушек: $HL5$ и $HL2$, характерных для слоев GaAs.