Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge–Sb–Te в режиме генератора тока. Обнаружена область неустойчивости – колебания проводимости, наблюдаемые при эффекте переключения в условиях задаваемого по величине тока. Детально изучены основные параметры, характеризующие эти колебания, и условия их возникновения. Анализ полученных данных показал, что для объяснения колебаний в области неустойчивости необходимо учитывать увеличение плотности тока и процесс теплообмена между шнуром тока, возникающим в пленке при переключении, и окружающей средой.