Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии

Мы сообщаем о первых результатах по выращиванию квантовых точек в системе InSb/GaSb методом жидкофазной эпитаксии и исследованию их структурных характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что поверхностная плотность, форма и размеры наноостровков зависят от температуры наращивания и химии поверхности матрицы. Получены массивы квантовых точек InSb на подложках GaSb (001) в интервале температур $T$ = 450–465$^\circ$C, со средними размерами: высота $h$ = 3 нм, продольный размер $D$ = 30 нм и поверхностная плотность 3 $\cdot$ 10$^{9}$ см$^{-2}$.