Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации

Методом хлоридной эпитаксии получены эпитаксиальные слои $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфире с использованием в качестве источника кислорода воздуха. Слои были исследованы с помощью методов рентгеновской дифракции, оптической, растровой электронной и просвечивающей электронной микроскопии, микрорамановской спектроскопии. Установлено, что слои ориентированы плоскостью ($\bar2$ 01) параллельно поверхности подложки и в них имеются отдельные крупные кристаллические зерна трех ориентаций, отличающихся друг от друга поворотом на 60$^\circ$ в данной плоскости, что, вероятно, обусловлено различием в симметрии слоев и подложки.