RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 721–724 (Mi phts6429)

Электронные свойства полупроводников

Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)

Д. Р. Хохловab

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Представлены итоги 12-й Российской конференции по физике полупроводников (РКФП-12), состоявшейся 20–25 сентября 2015 года в пансионате “Ершово” близ г. Звенигород, Московская область. Приведена статистика докладов по секциям, анализируются тенденции изменения интересов исследований по сравнению с предыдущей, 11-й Российской конференцией по физике полупроводников, состоявшейся в 2013 году в Санкт-Петербурге, а также по сравнению с 32-й Международной конференцией по физике полупроводников, проводившейся в 2014 г. в Остине (Техас, США). Обозначены основные особенности нынешней конференции, приведены наиболее интересные, с точки зрения автора, направления исследований.

Поступила в редакцию: 24.11.2015
Принята в печать: 30.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:6, 705–708

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024