RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 735–737 (Mi phts6432)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Аномальная термоэдс в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$

О. Г. Грушка

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: На основе данных по коэффициенту Холла показана возможность существования потенциальных барьеров в области примесной проводимости сильно компенсированных кристаллов Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$. Дано качественное обсуждение роли барьеров в аномальном характере явлений переноса. Экстремально высокие значения термоэдс объясняются сложением термоэдс контактных разностей потенциалов между областями с различной концентрацией электронов.

Поступила в редакцию: 03.11.2015
Принята в печать: 18.11.2015


 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063782616060075

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024