Эта публикация цитируется в
15 статьях
Электронные свойства полупроводников
Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)
Н. А. Поклонскийa,
С. А. Выркоa,
О. Н. Поклонскаяa,
А. Г. Забродскийb a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Развита электростатическая модель ионизационного равновесия между водородоподобными акцепторами и дырками
$v$-зоны в кристаллических ковалентных полупроводниках
$p$-типа. Область применимости модели – вся изоляторная сторона фазового перехода изолятор-металл (перехода Мотта). Плотность пространственного распределения атомов примесей (акцепторов и доноров), а также дырок по кристаллу считалась пуассоновской, а флуктуации их электростатической потенциальной энергии – гауссовыми. Модель учитывает эффект уменьшения энергии сродства ионизованного акцептора к дырке
$v$-зоны, обусловленный экранированием иона (по Дебаю–Хюккелю) как свободными дырками
$v$-зоны, так и локализованными, прыгающими между состояниями (0) и (-1) акцепторов в акцепторной зоне. Все доноры находятся в зарядовом состоянии (+1) и в экранировании напрямую не участвуют, но обеспечивают общую электрическую нейтральность образца. В квазиклассическом приближении получены аналитические выражения для среднеквадратичной флуктуации энергии дырки
$v$-зоны
$W_{p}$ и эффективной ширины акцепторной зоны
$W_{a}$. При расчете
$W_{a}$ учитывались только флуктуации, обусловленные кулоновским взаимодействием двух ближайших по расстоянию точечных зарядов (ионов примесей и дырок). Показано, что
$W_{p}$ меньше, чем
$W_{a}$, так как электростатические флуктуации на масштабах, меньших средней дебройлевской длины волны свободной дырки, не проявляются. Порог делокализации для дырок
$v$-зоны определяется суммой порога диффузионного протекания и обменной энергии дырок. Проведено вычисление концентрации свободных дырок
$v$-зоны при температуре
$T_{j}$ перехода от зонной электропроводности на постоянном токе к прыжковой по акцепторным состояниям, получаемой из теоремы вириала. Определена зависимость дифференциальной энергии термической ионизации акцепторов (при температуре 3
$T_{j}$/2) от их концентрации
$N$ и степени компенсации
$K$ (отношение концентраций доноров и акцепторов). Без использования каких-либо подгоночных параметров получено хорошее количественное согласие выполненных расчетов с данными по серии образцов нейтронно-трансмутационно легированного германия
$p$-типа вплоть до перехода Мотта.
Поступила в редакцию: 16.11.2015
Принята в печать: 23.11.2015