Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки

Исследовано влияние термоотжига в области температур 800 $\le T_{\operatorname{ann}}\le$ 1200$^\circ$C и двух скоростей охлаждения ($v_{\operatorname{cl}}$ = 1 и 15$^\circ$C/мин) на изменение концентрации носителей заряда в зоне проводимости, их подвижности, а также тензосопротивления в кристаллах $n$-Si как нейтронно-трансмутационно легированных, так и легированных примесью фосфора через расплав (в процессе выращивания методом Чохральского). Обнаружено, что после отжига при $T_{\operatorname{ann}}$ = 1050–1100$^\circ$C во всех кристаллах (независимо от способа легирования), происходит увеличение концентрации носителей заряда в 1.3–1.7 раза по сравнению с исходной. Выявлено специфическое влияние скорости охлаждения 15$^\circ$C/мин на свойства трансмутационно легированных кристаллов $n$-Si$\langle$P$\rangle$ в зависимости от температуры их отжига.