RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 807–810 (Mi phts6443)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота

Е. В. Ивановаa, А. А. Ситниковаa, О. В. Александровb, М. В. Заморянскаяa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Впервые обнаружено, что при высокотемпературном отжиге ($T$ = 1150$^\circ$C) в среде осушенного азота в приповерхностном слое термического диоксида кремния происходит образование нанокластеров кремния. Изучение спектров катодолюминесценции указывает на то, что при таком отжиге диоксида кремния образуется приповерхностная дефектная область, в которой при длительном отжиге формируются нанокластеры кремния. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что кластеры кремния имеют размеры 3–5.5 нм и располагаются на глубине около 10 нм от поверхности. Материалом для формирования нанокластеров кремния, служит кремний из термической пленки диоксида кремния. Такой метод формирования нанокластеров кремния предложен впервые.

Поступила в редакцию: 03.11.2015
Принята в печать: 19.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:6, 791–794

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024