RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 816–824 (Mi phts6445)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Углеродные системы

Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера–Слэтера и Андерсона

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Для рассмотрения примесей замещения в свободном однослойном графене использованы модели Костера–Слэтера и Андерсона. Плотность состояний графена также описывается модельным образом (M-модель). Для примесей азота и бора определены числа заполнения и значения параметра $\eta$, равного доле делокализованных электронов примеси. При этом экспериментальные данные использовались как для определения параметров моделей, так и для сопоставления с результатами теоретических оценок. Обсуждаются общие черты и различия моделей Костера–Слэтера и Андерсона. Так, например, показано, что зонные вклады в числа заполнения атома азота в обеих моделях сравнимы, тогда как локальные вклады сильно различаются: если в модели Костера–Слэтера они являются определяющими, то в модели Андерсона пренебрежимо малы. В модели Костера–Слэтера рассмотрена асимптотика волновых функций дефекта, а в модели Андерсона – электронные состояния примесных димеров.

Поступила в редакцию: 17.11.2015
Принята в печать: 08.12.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:6, 801–809

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024