Зависимость проводимости от толщины активной области в тонкопленочных диодах Шоттки на GaAs

Исследовались зависимости электрических характеристик тонкопленочных структур с барьером Шоттки на арсениде галлия. Исследования проводились с помощью численного моделирования методом Монте-Карло в кинетическом приближении с учетом основных механизмов рассеяния. Получены зависимости проводимости диода от напряжения и от толщины канала. Показано, что при малой толщине канала происходит изменение характера зависимости между напряжением и проводимостью диода, что объясняется вытеснением поля барьера в подложку.