Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора

Предложен новый метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого транзистора на карбиде кремния политипа 4$H$ при помощи окисления двухслойной системы, состоящей из тонкого слоя нитрида кремния и диоксида кремния. Наряду с увеличением подвижности носителей заряда в канале транзистора наблюдается снижение среднего значения поля пробоя по сравнению с подзатворным диэлектриком, выращенным в атмосфере N$_{2}$O.