Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия

Проведен анализ условий формирования ионно-легированных слоев на нитриде галлия при внедрении ионов кремния с применением фотонного отжига и защитных диэлектрических покрытий диоксида и нитрида кремния. Установлены режимы формирования ионно-легированных слоев с высокой степенью активации примеси. Исследованы температурные зависимости поверхностной концентрации носителей и подвижности в ионно-легированных слоях GaN для различных температур отжига.