RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 854–858 (Mi phts6452)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Модифицирование BaCe$_{0.5}$Zr$_{0.3}$Y$_{0.2}$O$_{3-\delta}$ оксидом меди: влияние на структурные и транспортные свойства

Ю. Г. Лягаеваa, Г. К. Вдовинa, И. В. Николаенкоbc, Д. А. Медведевac, А. К. Деминa

a Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН, Екатеринбург, Россия
b Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург

Аннотация: Исследовано влияние концентрации добавки СuO на спекаемость, фазовый состав, микроструктуру и электрические свойства протонпроводящего материала состава BaCe$_{0.5}$Zr$_{0.3}$Y$_{0.2}$O$_{3-\delta}$. Керамические образцы были получены с помощью цитрат-нитратного метода синтеза с добавлением оксида меди в массовом количестве 0, 0.25, 0.5 и 1%. Показано, что для образцов с 0.5 и 1% CuO их относительная плотность составляет $>$ 94% при температуре спекания 1450$^\circ$C, тогда как при меньшем содержании спекающей добавки она не превышает 85%. По результатам рентгенофазового анализа и растровой электронной микроскопии установлено, что введение небольшого количества добавки СuO (0.25%) недостаточно для формирования однофазной и высокоплотной керамики. Данные электропроводности и растровой электронной микроскопии показывают, что образец состава BaCe$_{0.5}$Zr$_{0.3}$Y$_{0.2}$O$_{3-\delta}$+0.5% CuO обладает высокой общей и ионной проводимостью, а также устойчивостью после водородного восстановления керамики. Цитрат-нитратный метод, модифицированный введением небольшого количества оксида меди, может быть рекомендован для получения однофазных, газоплотных и высокопроводящих электролитов на основе как BaCeO$_{3}$, так и BaZrO$_{3}$.

Поступила в редакцию: 03.11.2015
Принята в печать: 18.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:6, 839–843

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024