RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 577–581 (Mi phts6454)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: На монокристаллах двух структурных модификаций (тригональной и гексагональной) соединения CuIn$_{5}$$_{8}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследовано тепловое расширение в интервале температур 80–700 K. По полученным данным проведен расчет коэффициентов теплового расширения для обеих структурных модификаций. Установлено, что тепловое расширение в исследуемом интервале температур для указанных модификаций анизотропно. Для тригональной модификации коэффициент теплового расширения в направлении оси $\mathbf{c}$ $(\alpha_{c})$ больше коэффициента теплового расширения вдоль перпендикулярной ей оси $\mathbf{a}$ $(\alpha_{a})$. Для гексагональной модификации CuIn$_{5}$Se$_{8}$ коэффициент теплового расширения в направлении оси $\mathbf{c}$ проявляет аномальный характер: c ростом температуры он увеличивается, после чего происходит спад до отрицательных значений с достижением минимума, затем дальнейший его рост. Такое поведение $\alpha_{c}$ связано с фазовым превращением гексагональной модификации соединения CuIn$_{5}$$_{8}$ в тригональную.

Поступила в редакцию: 10.11.2015
Принята в печать: 16.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:5, 567–571

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024