Локализация полос межзонных переходов в объеме зоны Бриллюэна кристаллов группы III–V

В рамках теории функционала электронной плотности определена локализация переходов в объеме зоны Бриллюэна, формирующих основные структуры в спектрах мнимой части диэлектрической функции до $\sim$7 эВ полупроводников группы III–V (AlSb, GaSb, InSb и InAs). Выявлено, что интенсивные переходы происходят не только в окрестности осей высокой симметрии зоны Бриллюэна, но и в нескольких конкретных больших объемах неприводимой части зоны Бриллюэна.