RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 589–595 (Mi phts6456)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe

В. Я. Дегода, Г. П. Подуст

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет

Аннотация: Экспериментально полученные вольт-амперные и люкс-амперные характеристики рентгенопроводимости и рентгенолюминесценции монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Проведенный теоретический анализ кинетики рентгенопроводимости показал, что даже при наличии мелких и глубоких ловушек для свободных носителей в полупроводниковом образце интегральные характеристики рентгенопроводимости (люкс-амперные и вольт-амперные зависимости) должны быть линейными. Можно предположить, что нелинейности экспериментально полученных вольт-амперных и люкс-амперных характеристик могут быть обусловлены характером генерации свободных носителей при рентгеновском облучении – генерацией сотен тысяч свободных носителей противоположного знака в локальной области диаметром $<$ 1 мкм и кулоновским взаимодействием свободных носителей противоположных знаков.

Поступила в редакцию: 29.09.2015
Принята в печать: 07.10.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:5, 579–585

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024